目前全球仅有ASML一家能够生产EUV光刻机，慌E耗降而制造7nm以下芯片，光刻光源又必须使用到EUV光刻机，机新降功所以ASML相当于卡住了全球先进晶圆厂的出现成本脖子。

于是慌E耗降ASML推出的1.5亿欧元的标准EUV光刻机，台积电等厂商不得不买，光刻光源后来再推出3.5亿欧元的机新降功High NA EUV光刻机，intel们继续买。出现成本

靠着这样不断升级EUV光刻机，慌E耗降ASML赚的光刻光源盆满钵满。

而为了垄断EUV光刻机生意，机新降功ASML将EUV光刻系统上的出现成本众多供应链，捆绑在了自己战车，慌E耗降收购的光刻光源收购，投资的机新降功投资，反正让其它竞争对手，没有合作的机会。

比如蔡司，比如TRUMPF、比如Cymer等，均绑上了ASML战车。

可以说，其它企业，如果想走ASML的路线来造EUV光刻机，基本没戏，除非换一条新道路，才有可能性。

而近日，这条新道路出现了，EUV光刻机中，最重要的EUV光源部分，有了新的解决方案，且新方案，比旧方案，成本更低，功率更高，技术更为先进。

旧方案中，产生EUV光线，是非常麻烦的，方案叫做”激光等离子体EUV光源（EUV-LPP）“，是用二氧化碳激光器，轰击锡金属液滴，将这些锡珠蒸发成等离子体，放射出极紫外线（EUV）了，再通过透镜，对EUV进行收集。

这个过程非常复杂，成本也非常高，同时功率转化率非常低，大约只有3-5%的转化率。所以现在的EUV光刻机都是电老虎，就是因为功率转化率非常低，最终能够使用的功率也低。

而新的方案叫做自由电子激光器（FEL），用这种方案，同样能够生产EUV光源，让来自电子加速器的电子束在波荡器中发光，然后再放大FEL光，得到EUV--FEL光源。

与旧方案相比，一旦成本低多了，不需要锡球，再用二氧化碳激光器来激发，同时功率转化损失也不会非常大。

按照说法，如果采用EUV FEL方案来制造光刻机，EUV光刻机的制造成本降了很多，可能只有原先的一半都不到。

更重要的是，因为功率转化高多了，不像以前只有3-5%，现在可以高达30%以上，后续EUV光刻机也不会成为电老虎，耗电量大大降低，变为原来的五分之一，都有可能。

不仅如此，EUV-FEL还可以升级为BEUV-FEL，产生更短的波长（6.6-6.7 nm），比EUV的13.5nm波长更知，这样分辨率更高，能制造更先进的芯片。

所以很多科学家表示，EUV-FEL光束明显更适合作为EUV光刻机的光源。

目前美国、日本已经有机构在研究这种EUV-FEL技术，按照说法，虽然短时间之内，还无法利用这个技术制造出EUV光刻机，但相信也不会太久了，也许三年、五年就能够制造出来了。

不知道ASML怎么看？一旦这种EUV光刻机面市，那么对整个EUV光刻机生态，将面临大洗牌，那么全球半导体格局都会发生巨大变化，不知道ASML慌不慌？